RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link