RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6N1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link