RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link