RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3983
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link