RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3282
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 2600 2OZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link