RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link