RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2723
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link