RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link