RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2579
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link