RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3305
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link