RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3623
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link