RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3623
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link