RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2802
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CM3X4GSD1066 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link