RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 44
    Около -69% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 11.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.3 left arrow 8.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.2 left arrow 18.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 17.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2293 left arrow 3938

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
модули RAM
Mushkin 991586 2GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
модули RAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
модули RAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
модули RAM