RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link