RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2534
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link