RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1845
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link