RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3023
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link