RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около 35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link