RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link