RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2136
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link