RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2689
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link