RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link