RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2901
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link