RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link