RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link