RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2881
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link