RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
46
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2973
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link