RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около 27% меньшая задержка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.6 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.8 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 17.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 12.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3166

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
модули RAM
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
модули RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
модули RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
модули RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
модули RAM