RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3166
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link