RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3166
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link