RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2503
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link