RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2951
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link