RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link