RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link