RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
52
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link