RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link