RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link