RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
62
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link