RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 33
    Около 27% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 16
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2702

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
модули RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378B5773DH0-CK0 2GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
модули RAM