RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2940
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link