RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
64
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
64
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2205
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link