RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
69
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
69
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link