RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link