RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
65
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1836
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link