RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2577
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link