RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2577
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link