RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3753
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link