RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3219
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link