RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3100
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link