RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2994
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link