RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2856
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link