RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3371
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link