RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link