RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3482
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link