RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link