RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link