RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Panram International Corporation PUD31600C114G2VS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link