RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3593
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link