RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3537
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link